半電波暗室在建設完成后，整個場地和技術性能需要符合CISPR16標準要求。在屏蔽體建設完成，安裝吸波材料或其他裝修前，完成屏蔽效能的測試。在整個電波半暗室完成后，完成歸一化場地衰減(NSA)、場地電壓駐波比（SVSWR）、測試面場均勻性（FU）和場地背景噪聲的測試。所有以上測試項目必須由第三方檢測機構進行。

（1）屏蔽效能

    半電波暗室金屬殼體的屏蔽性能用屏蔽效能來衡量。屏蔽效能是模擬干擾源置于屏蔽殼體外時，屏蔽體安裝前后的電場強度、磁場強度或功率的比值。暗室的屏蔽效果的好壞不僅與屏蔽材料的性能有關，也與殼體上可能存在的各種不連續(xù)的形狀和孔洞以及安裝工藝有很大關系。

    例如屏蔽門是暗室的主要進出口，需要經常開啟，所以門縫是影響屏蔽效能的重要部位?，F(xiàn)在一般采用來改善門與門框的電氣接觸。兩層以上的結構，可以使門縫處的泄漏降到滿足較高屏蔽效能要求的狀態(tài)。

    暗室的屏蔽效能應當適當，并非越高越好，要從費用價格比考慮。對于新建的暗室，在正式安裝內部材料前，必須嚴格按照GB12190關于屏蔽室屏蔽效能測量方法嚴格測量和檢漏，重點對可能造成屏蔽效能降低的縫隙、出入口、通風波導、AP板等部位進行檢測，如果發(fā)現(xiàn)不合格應當及時修補。

    以下是常規(guī)半電波暗室的屏蔽效能要求。

表3-5  常規(guī)半電波暗室的屏蔽性能

頻率	衰減量	場源
10 kHz	≥70dB	磁場
10 kHz	≥100dB	電場
100 kHz	≥100dB	磁場
100 kHz	≥100dB	電場
1MHz	≥100dB	磁場
1MHz	≥110dB	電場
100MHz	≥110dB	平面波
400MHz	≥110dB	平面波
＜1GHz	≥100dB	平面波
＞1GHz	≥100dB	微波
10GHz	≥100dB	微波
18GHz	≥100dB	微波

（2）歸一化場地衰減

場地衰減是測量用場地的一個固有參數(shù)，場地衰減與地面的不平度、地面的電參數(shù)、周圍環(huán)境、收發(fā)天線之間的距離、天線類型和極化方向、收發(fā)天線端口的阻抗等有關。場地衰減定義為：輸入到發(fā)射天線上的功率與接收天線負載上所獲得的功率之比。

半電波暗室場地衰減的測試是在開闊測試場場地衰減測試的基礎上進行的。根據(jù)CISPR22對半電波暗室這個模擬開闊場的NSA測量作了如下規(guī)定：

① 用雙錐天線和對數(shù)周期天線等寬帶天線進行測量，而不用調諧偶極子天線。估計是前者低頻端幾何尺寸較后者為小，又便于掃頻測試之故。

② 考慮到EUT具有一定體積，設備上各點與周邊吸波材料距離不同，應對EUT所占空間進行多點NSA測量。具體是在發(fā)射天線所處中心位置及前、后、左、右各移動0.75m等5個點，以及發(fā)射天線在不同高度(垂直極化時1m和1.5m，水平極化時1m和2m)下進行。因此總共要進行20種組合情況下的NSA測量，包括5個位置、2個高度、2種極化。

CISPR 22給出了使用寬帶天線和推薦尺寸的半電波暗室歸一化場地衰減標準值。天線布置如圖3-45和圖3-46所示。

ANCI標準還準許在下列情況下，將檢測點減少至8點：當EUT高度≤1.5m時，可省略高度1.5m的垂直極化檢測點；倘若天線水平極化放置時，其投影可覆蓋EUT直徑的90%，則可省略左右兩個檢測點，如EUT后沿與吸波材料間距≥1m，則后面的測試點可略去。

測量結果與相應標準中的歸一化場地衰減值比較，若誤差在±4dB以內，則認為其NSA指標合格，可以在暗室中進行電磁輻射干擾和輻射敏感度的認證檢測。

歸一化場地衰減只用來表明測試場地的性能，與天線或測量儀器并沒有多大的關系，是衡量測試場地性能的重要指標之一。信號從發(fā)射源傳輸?shù)浇邮諜C時，由于場地影響所產生的損耗為NSA，它反映了場地對電磁波傳播的影響。半電波暗室是為模擬開闊場地而建造的，暗室中的NSA應和開闊場相一致，CISPR16-1和其他相關標準要求：在30MHz～18GHz頻率范圍內，當測量的垂直與水平的NSA值在歸一化場地衰減理論值的±4dB之內，則測試場地被認為是合格的，可以在暗室中進行電磁輻射干擾的檢測。

    實踐中，通常NSA在水平極化時對測試幾何條件的變化不像垂直極化時那樣敏感，測值比較容易落入理論值的±4dB范圍，建議先測試。如果出現(xiàn)較大偏差，則應首先排出由于儀器、天線系數(shù)、測量方法帶來的問題。如仍不符合要求，則再用垂直極化測試來確定不規(guī)范點，以此分析暗室的結構布置是否存在問題。